Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 8.1 A, 622 mΩ, 7.9 nC, 7ピン, パッケージ:PG-TO263-7
- RS品番:
- 349-107
- メーカー型番:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 349-107
- メーカー型番:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| パッケージ型式 | PG-TO263-7 | |
| シリーズ | IMB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 622mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 80W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.9nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 幅 | 10.2mm | |
| 長さ | 15mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| 高さ | 4.5mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
パッケージ型式 PG-TO263-7 | ||
シリーズ IMB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 622mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 80W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.9nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
動作温度 Max 200°C | ||
幅 10.2mm | ||
長さ 15mm | ||
規格 / 承認 JEDEC47/20/22, RoHS | ||
高さ 4.5mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- MY
インフィニオンIMBシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 1,200V、最大許容電力 80W - IMBG120R234M2HXTMA1
このMOSFETは、表面実装の電力用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い周囲温度範囲で動作し、スイッチングおよび変換機能に必要な導通を制御します。このコンポーネントは、電源ボード実装用の7ピンPG-TO263-7パッケージで構成されており、堅牢なゲートドライブと高いブロッキング電圧が必要な場合に適しています。
特長:
• ドレイン定格電圧 1,200V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 8.1A により、中程度の電力処理に対応
• 最大許容電力 80W により、連続的な熱負荷に対応
• 622mΩ の低Rds(on)により、動作時の導通損失を低減
• ゲート電荷 7.9nC により、比較的高速なスイッチング遷移が可能
• ゲート電圧許容値 25V により、一般的なゲート駆動回路に対応
• 連続ドレイン電流 8.1A により、中程度の電力処理に対応
• 最大許容電力 80W により、連続的な熱負荷に対応
• 622mΩ の低Rds(on)により、動作時の導通損失を低減
• ゲート電荷 7.9nC により、比較的高速なスイッチング遷移が可能
• ゲート電圧許容値 25V により、一般的なゲート駆動回路に対応
用途
• 産業システムの高電圧DC-DCコンバータで使用
• 再生可能エネルギー用インバータのパワースイッチングに適合
• 高電圧レールを備えたモータ駆動フロントエンドに最適
• スイッチング電源およびレギュレータに使用可能
• 小型電源モジュールの熱管理に使用
• 再生可能エネルギー用インバータのパワースイッチングに適合
• 高電圧レールを備えたモータ駆動フロントエンドに最適
• スイッチング電源およびレギュレータに使用可能
• 小型電源モジュールの熱管理に使用
このデバイスの、動作時にどのくらいの温度範囲に対応できますか?
定格動作温度は -55~200°C で、適切な実装と冷却を行うことで、非常に低い温度や極めて高いジャンクション温度/周囲温度条件で使用できます。
ピン構成はプリント基板の設計と実装にどのように影響しますか?
7ピンPG-TO263-7レイアウトにより、電源およびゲート接続を集約させ、基板への効果的な熱伝達を可能にし、低‑インピーダンス電流経路のドレインおよびソーストラックのルーティングを簡素化します。
製造時に考慮されている規格および環境上の制約は何ですか?
製造はJEDEC47/20/22の取扱い推奨事項に準拠し、デバイスは制限物質に関するRoHS要件に適合しています。
高周波回路では、スイッチング性能をどのように考慮すべきですか?
標準ゲート電荷 7.9nC を使用してゲート駆動エネルギーを見積もり、スイッチング損失と電磁放射の抑制を両立できるようゲートドライバとデッドタイムを選定します。
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