Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 8.1 A, 622 mΩ, 7.9 nC, 7ピン, パッケージ:PG-TO263-7

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RS品番:
349-107
メーカー型番:
IMBG120R234M2HXTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.2kV

パッケージ型式

PG-TO263-7

シリーズ

IMB

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

622mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

80W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.9nC

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

動作温度 Max

200°C

幅

10.2mm

長さ

15mm

規格 / 承認

JEDEC47/20/22, RoHS

高さ

4.5mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

インフィニオンIMBシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 1,200V、最大許容電力 80W - IMBG120R234M2HXTMA1


このMOSFETは、表面実装の電力用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い周囲温度範囲で動作し、スイッチングおよび変換機能に必要な導通を制御します。このコンポーネントは、電源ボード実装用の7ピンPG-TO263-7パッケージで構成されており、堅牢なゲートドライブと高いブロッキング電圧が必要な場合に適しています。

特長:


• ドレイン定格電圧 1,200V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 8.1A により、中程度の電力処理に対応
• 最大許容電力 80W により、連続的な熱負荷に対応
• 622mΩ の低Rds(on)により、動作時の導通損失を低減
• ゲート電荷 7.9nC により、比較的高速なスイッチング遷移が可能
• ゲート電圧許容値 25V により、一般的なゲート駆動回路に対応

用途


• 産業システムの高電圧DC-DCコンバータで使用
• 再生可能エネルギー用インバータのパワースイッチングに適合
• 高電圧レールを備えたモータ駆動フロントエンドに最適
• スイッチング電源およびレギュレータに使用可能
• 小型電源モジュールの熱管理に使用

このデバイスの、動作時にどのくらいの温度範囲に対応できますか?


定格動作温度は -55~200°C で、適切な実装と冷却を行うことで、非常に低い温度や極めて高いジャンクション温度/周囲温度条件で使用できます。

ピン構成はプリント基板の設計と実装にどのように影響しますか?


7ピンPG-TO263-7レイアウトにより、電源およびゲート接続を集約させ、基板への効果的な熱伝達を可能にし、低‑インピーダンス電流経路のドレインおよびソーストラックのルーティングを簡素化します。

製造時に考慮されている規格および環境上の制約は何ですか?


製造はJEDEC47/20/22の取扱い推奨事項に準拠し、デバイスは制限物質に関するRoHS要件に適合しています。

高周波回路では、スイッチング性能をどのように考慮すべきですか?


標準ゲート電荷 7.9nC を使用してゲート駆動エネルギーを見積もり、スイッチング損失と電磁放射の抑制を両立できるようゲートドライバとデッドタイムを選定します。

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