Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1200 V, 189 A, 21 mΩ, 195 nC, 7ピン, パッケージ：PG-TO263-7
- RS品番:
- 349-092
- メーカー型番:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 349-092
- メーカー型番:
- IMBG120R008M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 189A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | PG-TO263-7 | |
| シリーズ | IMB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 21mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 195nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 最大許容損失Pd | 800W | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 高さ | 4.5mm | |
| 長さ | 15mm | |
| 幅 | 10.2mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 189A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 PG-TO263-7 | ||
シリーズ IMB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 21mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 195nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
最大許容損失Pd 800W | ||
動作温度 Max 200°C | ||
高さ 4.5mm | ||
長さ 15mm | ||
幅 10.2mm | ||
規格 / 承認 JEDEC47/20/22, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
Infineon IMBシリーズMOSFET、ドレインソース電圧 1200V、連続ドレイン電流 189A - IMBG120R008M2HXTMA1
このMOSFETは、高電圧に対応するNチャネル・エンハンスメント型デバイスで、過酷なパワースイッチング環境向けに設計されています。大きな電流処理と高温耐性が求められる表面実装用途向けに設計されています。このコンポーネントは、業界で認められたパッケージ規格に準拠しており、堅牢な導通性能とスイッチング性能が求められる産業用電力スイッチング回路に適しています。
特長および利点：
• 800Wの許容電力により、持続的な高出力動作を実現
• 1200Vのドレイン・ソース間耐圧により、高電圧トポロジーに対応
• 189Aの連続ドレイン電流により、大負荷時の電流導通に対応
• 21mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 195nCにより、高エネルギーのスイッチング用途に最適
• 7ピンPG-TO263-7パッケージにより、高出力の表面実装を簡素化
• 1200Vのドレイン・ソース間耐圧により、高電圧トポロジーに対応
• 189Aの連続ドレイン電流により、大負荷時の電流導通に対応
• 21mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 195nCにより、高エネルギーのスイッチング用途に最適
• 7ピンPG-TO263-7パッケージにより、高出力の表面実装を簡素化
用途
• 産業用インバータおよびコンバータの電力変換段に最適
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 高電流を必要とするモータードライブ電源モジュールに使用
• 再生可能エネルギー分野のパワーエレクトロニクス用途に使用可能
• 高速スイッチング、大電力スイッチング回路に最適
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 高電流を必要とするモータードライブ電源モジュールに使用
• 再生可能エネルギー分野のパワーエレクトロニクス用途に使用可能
• 高速スイッチング、大電力スイッチング回路に最適
過酷な条件下で、どのような温度範囲で動作できますか？
-55°C～200°C で動作し、極端な温度環境での使用が可能です。
パッケージタイプはプリント基板への実装にどのような影響を与えますか？
PG-TO263-7の表面実装パッケージは、コンパクトで薄型の設計を採用し、自動はんだ付けとヒートシンクの取り付けに対応します。
制御インターフェースのゲート電圧耐性はどの程度ですか？
このデバイスは、最大25Vのゲート電圧を実現し、一般的なゲートドライバ出力との互換性を実現します。
このデバイスは、エンハンスメント型／デプレッション型のどちらのチャネル方式に対応していますか？
Nチャネル・エンハンスメント型トランジスタで、一般的なゲート駆動型スイッチング回路に適しています。
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