Infineon パワー トランジスタ, タイプNチャンネル 120 V, 331 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOG-8, IPTG017N12NM6ATMA1

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RS品番:
349-135
メーカー型番:
IPTG017N12NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

最大連続ドレイン電流Id

331A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

パッケージ型式

PG-HSOG-8

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

395W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

113nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon OptiMOS 6 パワートランジスタ、120 V は、高効率電力用途向けに設計された N チャネルの通常レベル MOSFET です。非常に低いオン抵抗（RDS(on)）を特徴としており、導通損失を最小限に抑えて性能が向上しています。優れたゲート電荷 xRDS(on) 積 (FOM) により、優れたスイッチング特性を実現します。MOSFET は逆回復電荷 (Qrr) も非常に低く、スイッチング損失の低減に貢献します。その高いアバランシェエネルギー定格は、ストレス下での堅牢性を保証し、175℃ の温度で確実に動作するため、要求の厳しい高温環境に適しています。

高周波スイッチングと同期整流に最適化

鉛フリー鉛メッキ

RoHS 準拠

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー

J-STD-020 に準拠し、MSL 1 に分類

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