Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 122 A, 8-Pin パッケージHSOG, IPTG063N15NM5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
259-2740
メーカー型番:
IPTG063N15NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

122A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

HSOG

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.3mΩ

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.84V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

214W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50nC

動作温度 Max

175°C

幅

8.75 mm

高さ

2.4mm

規格 / 承認

RoHS, IEC 61249-2-21

長さ

10.1mm

自動車規格

なし

80 V及び100 VのInfineon OptiMOS 5産業用パワーMOSFETデバイスは、通信及びサーバー電源の同期整流用途向けに設計されていますが、ソーラー、低電圧ドライブ、ラップトップアダプタなどの他の用途にも最適です。幅広いパッケージポートフォリオを備えたこのパワーMOSFETファミリは、業界最低のRDS(on)を実現しています。この業界をリードするメリット数値(FOM)の最大の要因の1つは、SuperSO8パッケージで最も低い2.7 mΩの低オンステート抵抗で、最高レベルの電力密度と効率を実現しています。

Nチャンネル、標準レベル

非常に低いオン抵抗RDS(on)

優れた耐熱性

100 %アバランシェテスト済み

鉛フリーリードめっき; RoHS準拠

IEC61249-2-22に準拠したハロゲンフリー

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