Infineon パワー トランジスタ, タイプNチャンネル 120 V, 170 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8 FL, ISC032N12LM6ATMA1
- RS品番:
- 349-139
- メーカー型番:
- ISC032N12LM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 2 - 18 | ¥796.50 | ¥1,593 |
| 20 - 198 | ¥717.00 | ¥1,434 |
| 200 - 998 | ¥661.50 | ¥1,323 |
| 1000 - 1998 | ¥613.50 | ¥1,227 |
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- RS品番:
- 349-139
- メーカー型番:
- ISC032N12LM6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | パワー トランジスタ | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 170A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 120V | |
| パッケージ型式 | PG-TDSON-8 FL | |
| シリーズ | ISC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 211W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 33nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ パワー トランジスタ | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 170A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V | ||
パッケージ型式 PG-TDSON-8 FL | ||
シリーズ ISC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 211W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 33nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Infineon OptiMOS 6 パワートランジスタは、高効率電力用途向けに設計された N チャネル、ロジックレベル MOSFET です。超低オン抵抗(RDS(on))が特徴で、導通損失を低減し、性能を向上させます。このトランジスタは、優れたゲート電荷xRDS(on)積(FOM)を誇り、最適なスイッチング特性を保証します。さらに、逆回復電荷(Qrr)が非常に低く、スイッチング損失を最小限に抑えることができます。
高周波スイッチングと同期整流に最適化
鉛フリー鉛メッキおよび RoHS 準拠
IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー
J-STD-020 に準拠し、MSL 1 に分類
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