Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 63 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC104N12LM6ATMA1

RS品番:: 285-049
メーカー型番:: ISC104N12LM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 63 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC104N12LM6ATMA1

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RS品番:: 285-049
メーカー型番:: ISC104N12LM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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その他

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	63A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	120V
	シリーズ	OptiMOS 6 Power Transistor
	パッケージ型式	PG-TDSON-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	10.4mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	94W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 63A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V
	シリーズ OptiMOS 6 Power Transistor
	パッケージ型式 PG-TDSON-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10.4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 94W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - ISC104N12LM6ATMA1

インフィニオンMOSFETは、高効率用途向けに設計されたプレミアパワートランジスタです。先進的なNチャンネルロジックレベル特性により、非常に低いオン抵抗を提供し、動作中に最適な省エネルギーを実現します。革新的なSuperSO8パッケージは、熱管理を強化し、高周波スイッチング作業に最適です。ARTコンポーネントのこの状態は、優れたゲート充電性能を誇り、より高度なデバイスで一般的に発生する損失を大幅に削減します。さらに、RoHSおよびハロゲンフリー規制に準拠しているため、環境に優しい技術へのコミットメントを保証します。

優れた性能を発揮するNチャンネル技術

低オン抵抗により電力損失を低減

高周波スイッチングのための設計

信頼性に関する業界標準に準拠

環境に優しいRoHSおよびハロゲンフリー

堅牢性を高める高アバランチエネルギー処理

同期整流に最適化

熱消費を向上させるための熱特性の向上

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 63 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC104N12LM6ATMA1

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