1 Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 120 V, 8-Pin エンハンスメント型, ISC037N12NM6ATMA1 パッケージPG-TDSON-8 FL

RS品番:: 285-044
メーカー型番:: ISC037N12NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

1 Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 120 V, 8-Pin エンハンスメント型, ISC037N12NM6ATMA1 パッケージPG-TDSON-8 FL

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RS品番:: 285-044
メーカー型番:: ISC037N12NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	120V
	シリーズ	OptiMOS 6 Power Transistor
	パッケージ型式	PG-TDSON-8 FL
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V
	シリーズ OptiMOS 6 Power Transistor
	パッケージ型式 PG-TDSON-8 FL
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	チャンネルモードエンハンスメント型
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格なし

Datasheet - ISC037N12NM6ATMA1

インフィニオンMOSFETは、幅広い用途において卓越した効率性と信頼性を提供する高性能Nチャンネルパワートランジスタです。このコンポーネントは、革新的な熱特性を備え、最高175°Cの温度の過酷な環境でも優れています。最先端のOptiMOS技術を使用して構築されており、エネルギー損失を最小限に抑え、スイッチング機能を強化し、高周波用途に最適です。このデバイスは、産業環境で配備されているか、同期整流で使用されているかにかかわらず、厳格なRoHS準拠に適合し、現代の環境基準に適合します。

高周波スイッチングに最適化

コンプライアンスのための鉛フリーリードめっき

信頼性を高めるMSL 1分類

低逆リカバリ充電により効率を向上

高いアバランチエネルギー等級により、保護を強化

優れたゲート充電により、ドライブ損失を軽減

1 Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 表面 120 V, 8-Pin エンハンスメント型, ISC037N12NM6ATMA1 パッケージPG-TDSON-8 FL

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