Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 60 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRFB4332PBF

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RS品番:
495-562
メーカー型番:
IRFB4332PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

390W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

99nC

動作温度 Max

175°C

高さ

9.02mm

規格 / 承認

No

長さ

10.66mm

幅

4.82 mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流60A、最大許容損失390W - IRFB4332PBF


このMOSFETは、オートメーションやエレクトロニクスの高性能アプリケーション向けに調整されている。先進のHEXFET技術を活用し、クリティカルな環境において最適な効率と信頼性を保証します。堅牢な仕様とユーザーフレンドリーなデザインが特徴で、さまざまな産業用途に適している。厳しい条件下での効果的な動作は、最新の電子システムの要件を満たしている。

特徴と利点


• Nチャンネル構成が効率的な電流フローをサポート

• 60Aの連続ドレイン電流定格が強力なパフォーマンスを促進

• 250Vまでの高電圧に対応し、汎用性を向上

• 低オン抵抗で効率を高め、発熱を最小限に抑える

• エンハンスメント・モード動作により、デジタル・アプリケーションの安定性が向上

• 負荷時の信頼性に貢献する高い電力損失能力

用途


• エネルギー回収システムに適用して効率を高める

• パススイッチに最適 スペースが限られている場合

• プラズマ・ディスプレイ・パネルの性能向上に活用

• 持続的な大電流を必要とするオートメーション制御に最適

最適な運転温度範囲は？


デバイスは-40℃から+175℃の間で効果的に動作し、多様な環境条件下で機能する。

ゲートしきい値電圧は性能にどのように影響しますか？


3Vから5Vのしきい値電圧で、スイッチング・アプリケーションの精密な制御を可能にする。

高パルス電流に対応できるか？


はい、パルスドレイン電流に対応した設計で、特定の条件下で230Aを可能にし、これは過渡アプリケーションに有利です。

熱管理の要件は？


最適な性能を維持するためには、最大消費電力390Wを考慮し、適切な冷却対策を実施する必要がある。

様々な取り付け方法に対応していますか？


TO-220ABパッケージは、ストレートなスルーホール実装を可能にし、複数の回路設計における互換性を高めます。

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