Microchip MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 598-727
- メーカー型番:
- DN2625K4-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 598-727
- メーカー型番:
- DN2625K4-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | DN2625 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ DN2625 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Microchipの低閾値消耗モードトランジスタは、高度な垂直DMOS構造と実証済みのシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、この製品はバイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。縦型DMOS FETは、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングと増幅用途に最適です。
非常に低いゲートしきい値電圧
ソース駆動に設計
低スイッチング損失
低効率出力静電容量
誘導負荷向けに設計
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