1 Microchip パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 1.1 A, 表面 250 V, 8-Pin デプレッション型, DN2625DK6-G パッケージDFN

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥2,529.00

(税抜)

¥2,781.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,410 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 145¥505.80¥2,529
150 - 1495¥498.20¥2,491
1500 - 1995¥490.80¥2,454
2000 - 2495¥483.20¥2,416
2500 +¥476.20¥2,381

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
916-3725
メーカー型番:
DN2625DK6-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

シリーズ

DN2625

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5Ω

チャンネルモード

デプレッション型

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.04nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

シングル

長さ

5.1mm

規格 / 承認

No

5.1 mm

高さ

0.85mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

DN2625 NチャンネルMOSFETトランジスタ


Microchip DN2625は、先進的な垂直型DMOS構造を採用した低しきい値デプレッションモード(通常オン)MOSFETトランジスタです。この製品の設計では、バイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。

特長


低ゲートしきい値電圧

ソース駆動型設計

低スイッチング損失

低実効出力静電容量

誘導負荷向けに設計

MOSFETトランジスタ、Microchip


関連ページ