1 Microchip パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 1.1 A, 表面 250 V, 8-Pin デプレッション型, DN2625DK6-G パッケージDFN
- RS品番:
- 916-3725
- メーカー型番:
- DN2625DK6-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥473.60 | ￥2,368 |
| 150 - 1495 | ￥466.40 | ￥2,332 |
| 1500 - 1995 | ￥459.60 | ￥2,298 |
| 2000 - 2495 | ￥452.40 | ￥2,262 |
| 2500 + | ￥445.80 | ￥2,229 |
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- RS品番:
- 916-3725
- メーカー型番:
- DN2625DK6-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| シリーズ | DN2625 | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.5Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.04nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5.1mm | |
| 高さ | 0.85mm | |
| 幅 | 5.1 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
シリーズ DN2625 | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.5Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.04nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max -55°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5.1mm | ||
高さ 0.85mm | ||
幅 5.1 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
DN2625 NチャンネルMOSFETトランジスタ
Microchip DN2625は、先進的な垂直型DMOS構造を採用した低しきい値デプレッションモード（通常オン）MOSFETトランジスタです。この製品の設計では、バイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。
特長
低ゲートしきい値電圧
ソース駆動型設計
低スイッチング損失
低実効出力静電容量
誘導負荷向けに設計
MOSFETトランジスタ、Microchip
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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