1 Microchip MOSFETアレイ 2組のNチャンネルとPチャンネル, Pチャンネル, N チャネルチャンネル, 2.3 A, 表面 200 V, 12-Pin エンハンスメント型, TC8220K6-G パッケージDFN

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RS品番:
598-776
メーカー型番:
TC8220K6-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFETアレイ

チャンネルタイプ

Pチャンネル, N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

2.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

DFN

シリーズ

TC8220

取付タイプ

表面

ピン数

12

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±25 V

トランジスタ構成

2組のNチャンネルとPチャンネル

動作温度 Max

150°C

長さ

4mm

高さ

1mm

規格 / 承認

RoHS Certificate of Compliance

幅

4 mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
12リードDFNパッケージに収められたMicrochipの高電圧、低しきい値Nチャンネル及びPチャンネルMOSFETは、ゲートツーソース抵抗器とゲートツーソースツェナーダイオードクランプを内蔵し、高電圧パルスアプリケーションに最適です。これらの補完的な高速、高電圧、ゲートクランプ付きNチャンネル及びPチャンネルMOSFETペアは、Supertexの実績のあるシリコンゲート製造プロセスとともに、高度な垂直DMOS構造を採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの電力処理機能を実現し、MOSデバイスに代表される高い入力インピーダンスと正温度係数を実現します。

ゲート・ソース間抵抗内蔵

内蔵ゲート-ソースZenerダイオード

低しきい値、低オン抵抗

低入力及び出力静電容量

高速スイッチング速度

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