1 Microchip MOSFETアレイ 独立したNチャンネルとPチャンネルのモスフェット, Pチャンネル, N チャネルチャンネル, 2.1 A, 表面, 8-Pin エンハンスメント型, TC2320TG-G パッケージSOIC
- RS品番:
- 598-027
- メーカー型番:
- TC2320TG-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
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- RS品番:
- 598-027
- メーカー型番:
- TC2320TG-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| チャンネルタイプ | Pチャンネル, N チャネル | |
| プロダクトタイプ | MOSFETアレイ | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.1A | |
| シリーズ | TC2320 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| トランジスタ構成 | 独立したNチャンネルとPチャンネルのモスフェット | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Certificate of Compliance | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
チャンネルタイプ Pチャンネル, N チャネル | ||
プロダクトタイプ MOSFETアレイ | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.1A | ||
シリーズ TC2320 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
トランジスタ構成 独立したNチャンネルとPチャンネルのモスフェット | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS Certificate of Compliance | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
8リードSOICパッケージのMicrochip高電圧、低しきい値Nチャンネル及びPチャンネルMOSFETは、高度な垂直DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用した強化モード(通常オフ)トランジスタです。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの電力処理機能を実現し、MOSデバイスの代表的な高い入力インピーダンスと正温度係数を維持します。すべてのMOS構造と同様に、このデバイスはサーマルラナウェイやサーマル誘導された二次破壊から解放され、信頼性の高い性能を実現します。
敷居が低い
低オン抵抗
低入力容量
高速スイッチング速度
二次故障の心配なし
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