1 Microchip MOSFETアレイ 電気的に絶縁されたNチャンネルとPチャンネルのペア（2ペア）, N チャネル, Pチャンネル, 1.8 A, 表面 200 V, 12-Pin エンハンスメント型, TC7920K6-G

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RS品番:
598-568
メーカー型番:
TC7920K6-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFETアレイ

チャンネルタイプ

N チャネル, Pチャンネル

最大連続ドレイン電流Id

1.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

DFN

シリーズ

TC7920

取付タイプ

表面

ピン数

12

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

1.8V

トランジスタ構成

電気的に絶縁されたNチャンネルとPチャンネルのペア（2ペア）

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

幅

4.15 mm

規格 / 承認

RoHS Certificate of Compliance

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
12リードDFNパッケージに収められたMicrochipの高電圧、低しきい値Nチャンネル及びPチャンネルMOSFETは、出力ドレイン高電圧ダイオード、ゲートツーソース抵抗器、ゲートツーソースツェナーダイオードクランプを内蔵しているため、高電圧パルスアプリケーションに最適です。これらの補完的な高速、高電圧、ゲートクランプ付きMOSFETペアは、高度な垂直DMOS構造と実証済みのシリコンゲート製造プロセスを使用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの電力処理機能と、MOSデバイスの高い入力インピーダンスと正温度係数の特性を実現します。

ゲート・ソース間抵抗内蔵

内蔵ゲート-ソースZenerダイオード

低しきい値、低オン抵抗

低入力及び出力静電容量

高速スイッチング速度

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