Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.2 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK

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RS品番:
653-091
メーカー型番:
SI8818EDB-T2-E1
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

SI8818EDB

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.143Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.4nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±12 V

最大許容損失Pd

0.9W

動作温度 Max

150°C

幅

0.8 mm

規格 / 承認

No

長さ

0.8mm

高さ

0.39mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、スペースが限られたシステムでの超小型で高効率のスイッチング用に設計されています。最大30 Vのドレインソース電圧をサポートします。0.8 mm x 0.8 mmのMICRO FOOTパッケージに収められ、TrenchFET技術を採用し、低RDS(on)、高速スイッチング、優れた熱性能を発揮します。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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