Vishay MOSFET シングル, タイプPチャンネル, 40 A, 表面 30 V, 8-Pin, SI7139DP-T1-GE3 パッケージPowerPAK SO-8

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梱包形態
RS品番:
180-7890
メーカー型番:
SI7139DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

00090Ω

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

48W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49.5nC

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

シングル

長さ

6.25mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.12mm

5.26 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay


Vishay MOSFET は、 P チャンネル、 PowerPak-SO-8 パッケージの新しいエージング製品です。ドレインソース電圧は 30 V 、最大ゲートソース電圧は 20 V です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 5.5 mhm です。最大消費電力 48 W です。 この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


•ハロゲンフリーおよび鉛フリーのコンポーネント

•動作温度範囲: -55 ° C ~ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•アダプタスイッチ

•バッテリースイッチ

•負荷スイッチ

• ノートブックコンピュータ

認定


• ANSI/ESD S20.20 : 2014

• BS EN 61340-5-1 : 2007

• Rg テスト済み

• UIS テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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