Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 680 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIRS4300DP-T1-RE3

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RS品番:
653-095
メーカー型番:
SIRS4300DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

680A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SIRS4300DP

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00040Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

84nC

最大許容損失Pd

278W

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

5.10mm

長さ

6.10mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

0.95mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay SIRS4300DPシリーズシングルMOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流680 A - SIRS4300DP-T1-RE3


このシングルMOSFETデバイスは、産業用電子機器の高電流スイッチングおよび電力変換用途向けのNチャンネル強化半導体です。8ピン表面実装PowerPAKパッケージで提供され、コンパクトで低損失スイッチングが必要な過酷な熱環境や電気環境に適しています。

特長:


• 30 Vのドレイン定格により、低電圧パワーステージ設計が可能 • 680 Aの連続ドレイン電流により、重負荷スイッチングをサポート • 0.00040Ω Rds(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上 • 84 nC標準ゲート充電により、より高速なゲートトランジションを実現 • 278 Wの消費電力により、高いエネルギースループットを管理 • 150°Cまで動作し、高温用途向け

用途


• オートメーションシステムの高電流DC-DCコンバータに最適 • モータードライブコントローラーのパワーステージに最適 • 電源モジュールの同期整流に使用 • 産業用配電の負荷スイッチングに使用可能 • データセンターパワーラックのパラレルアレイと併用

信頼性の高いスイッチングには、どのようなゲートドライブマージンが許容されますか?


このデバイスは、最大20 Vのゲート電圧に対応

この制限内で動作し、目的のスイッチング速度に対して標準的な84 nCの充電を実現するように設計されています。

プリント基板での熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?


278 Wの消散能力を備えているため、大きな銅エリア、サーマルバイア、PowerPAK露出パッドへの直接ヒートシンクを使用して、ジャンクション温度を制限内に保つことができます。

電流容量を向上させるためにパラレル接続できますか?


一致するRds(on)と適切な電流共有対策を実施し、不平衡を回避するための慎重なゲートドライブタイミングとともに、並列化が可能です。

サービス中にどのような環境温度範囲に耐えられますか?


このコンポーネントは、システム熱設計で定義されたジャンクションまたはケース条件で-55°Cまで、最大150°Cまで動作するように指定されています。

どのようなパッケージにより、レイアウト密度に影響を与えますか?


8ピンPowerPAK表面実装形式により、コンパクトな配置が可能ですが、高電流経路の銅ヒートシンクとトレース幅に注意が必要です。

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