Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 30 V, 680 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8S, SiRS4300DP

N

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RS品番:
735-147
メーカー型番:
SiRS4300DP
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

680A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8S

シリーズ

SiR

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0004Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

180nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

278W

順方向電圧 Vf

30V

動作温度 Max

150°C

高さ

2mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

6mm

幅

5mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧30 V定格で、AIパワーサーバーバックコンバータおよび高電流電力供給システムでの超低損失同期整流用に設計されています。10 Vのゲートドライブで400 μΩの非常に低いオン抵抗を実現し、極めて高密度な用途で効率を最大化します。

消費電力定格: 278 W

100 % RgおよびUISテスト済み構造

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