Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 42.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SISS5812DN-T1-GE3

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RS品番:
653-132
メーカー型番:
SISS5812DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

42.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

SISS5812DN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0135Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

44.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

動作温度 Max

150°C

高さ

0.83mm

幅

3.40 mm

規格 / 承認

No

長さ

3.40mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay TrenchFET Gen V NチャンネルパワーMOSFETは、ドレインソース電圧80 Vの定格です。コンパクトなPowerPAK 1212-8Sに組み込まれており、AIサーバー電源ソリューション、DC/DCコンバータ、負荷スイッチングに最適です。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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