型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 108 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS05DN-T1-GE3

RS品番:: 188-5013
メーカー型番:: SiSS05DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 108 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS05DN-T1-GE3

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RS品番:: 188-5013
メーカー型番:: SiSS05DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	108A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	SiSS05DN
	パッケージ型式	PowerPAK 1212
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	5.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	76nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	16 V
	最大許容損失Pd	65.7W
	順方向電圧 Vf	-1.1V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	0.78mm
	長さ	3.3mm
	規格 / 承認	No
	幅	3.3 mm
	Distrelec Product Id	304-38-851
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 108A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ SiSS05DN
	パッケージ型式 PowerPAK 1212
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 76nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 16 V
	最大許容損失Pd 65.7W
	順方向電圧 Vf -1.1V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 0.78mm
	長さ 3.3mm
	規格 / 承認 No
	幅 3.3 mm
	Distrelec Product Id 304-38-851
	自動車規格なし

P チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET ® Gen IV p チャンネルパワー MOSFET

熱特性が強化されたコンパクトなパッケージで、極めて低い RDS （ on ）を実現します

より高い電力密度を実現します

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 108 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS05DN-T1-GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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