Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 96 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIRA10DDP-T1-GE3

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RS品番:
653-141
メーカー型番:
SIRA10DDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

96A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SIRA10DDP

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0031Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

43W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.04mm

規格 / 承認

No

長さ

5.15mm

幅

6.15 mm

自動車規格

なし

Vishay NチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムの高効率スイッチング向けに設計されています。最大30 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK SO-8でパッケージ化されたTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、超低RDS(on)、高速スイッチング、優れた熱性能を発揮します。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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