Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 81 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIR870BDP-T1-UE3

N
MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥684,429.00

(税抜)

￥752,871.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 +￥228.143￥684,429

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
653-199
メーカー型番:
SIR870BDP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

81A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SiR870BDP

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0061Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

73nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

100W

動作温度 Max

150°C

高さ

0.61mm

幅

5.15 mm

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムの高効率スイッチング向けに設計されています。最大100 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK SO-8でパッケージ化されたTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、低RDS(on)、高速スイッチング、及び最適化された熱性能を実現します。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

関連ページ