Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 60 V, 100 A, 0.0048 Ω, 63.5 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK

N
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RS品番:
851-506
メーカー型番:
SIR692DP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0048Ω

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

104W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.05mm

高さ

1.04mm

規格 / 承認

AEC-Q101 Qualified

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
DE
Vishayの高性能MOSFETは、電力管理用途で効率的なスイッチング機能を発揮するように設計されています。堅牢な構造により、さまざまな過酷な環境での信頼性と最適な機能を保証します。

優れた動作効率を実現するNチャンネル構成

ThunderFET技術により、オン抵抗とスイッチング特性のバランスを最適化し、性能を向上

最大ドレインソース電圧250 Vで、高電圧用途に最適

最大連続ドレイン電流24.2 Aで設計されており、幅広い負荷条件に対応

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