ローム シングルMOSFET, デュアルNチャンネル 80 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSMT-8, HT8MD5HTB1
- RS品番:
- 687-385
- メーカー型番:
- HT8MD5HTB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
N
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | ￥115.00 | ￥230 |
| 20 - 48 | ￥102.00 | ￥204 |
| 50 - 198 | ￥91.50 | ￥183 |
| 200 - 998 | ￥74.00 | ￥148 |
| 1000 + | ￥71.50 | ￥143 |
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- RS品番:
- 687-385
- メーカー型番:
- HT8MD5HTB1
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | デュアルN | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | HSMT-8 | |
| シリーズ | HT8MD5HT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 165mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| 最大許容損失Pd | 13.0W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 長さ | 3.45mm | |
| 幅 | 3.4 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ デュアルN | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 HSMT-8 | ||
シリーズ HT8MD5HT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 165mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.1nC | ||
最大許容損失Pd 13.0W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.8mm | ||
長さ 3.45mm | ||
幅 3.4 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
ロームパワーMOSFETは、多様な電子用途向けに設計されています。デュアル N チャンネルと P チャンネルの構成により、このコンポーネントは卓越した性能を発揮し、モータードライブやその他の要求の厳しい回路で効果的な電力管理を可能にします。低オン抵抗などの機能により、動作中の電力損失を最小限に抑え、HSMT8パッケージにより性能を損なうことなくコンパクトな設置面積を実現します。HT8MD5Hは広い電圧範囲に対応し、RoHSおよびハロゲンフリー規格に準拠しているため、環境に配慮した設計に最適です。信頼性を念頭に置いて作られたこのMOSFETは、さまざまな条件下で堅牢な性能を必要とするさまざまな用途に適しています。
低オン抵抗設計により、電力用途の効率を向上
コンパクトなHSMT8パッケージでの高出力機能により、統合を効率化
RoHS準拠でハロゲンフリーの構造により、環境に優しい設計を実現
100% Rg及びUISテスト済みで、過酷な動作条件下での信頼性を確保
モーター駆動用途に最適化され、効果的な電力制御を実現
幅広い電圧範囲により、さまざまな電子環境での汎用性を保証
最大150°Cのジャンクション温度に耐える設計