STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 900 V, 110 A エンハンスメント型, 表面実装, 3-Pin パッケージHIP-247-3, SCT012W90G3AG
- RS品番:
- 719-464
- メーカー型番:
- SCT012W90G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 719-464
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- SCT012W90G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 900V | |
| パッケージ型式 | HIP-247-3 | |
| シリーズ | Sct | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 138nC | |
| 最大許容損失Pd | 625W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 2.8V | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 高さ | 20.15mm | |
| 長さ | 15.75mm | |
| 幅 | 5.15 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 900V | ||
パッケージ型式 HIP-247-3 | ||
シリーズ Sct | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 138nC | ||
最大許容損失Pd 625W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 2.8V | ||
動作温度 Max 200°C | ||
高さ 20.15mm | ||
長さ 15.75mm | ||
幅 5.15 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
AEC-Q101適合
全温度範囲にわたって非常に低いRDS(on)
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード