STMicroelectronics, Nチャンネル, 900 V, 110 A, 15.8 mΩ, 138 nC, 3ピン, パッケージ:HIP-247-3
- RS品番:
- 671-931
- メーカー型番:
- SCT012W90G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 671-931
- メーカー型番:
- SCT012W90G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
その他
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 900 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 110 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 15.8 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 138 nC | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | HIP-247-3 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 5.15 mm | |
| 長さ | 35.9 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 22 V | |
| 動作温度 (Max) | 200 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 625 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| シリーズ | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 15.75 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 900 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 110 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 15.8 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 138 nC | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 HIP-247-3 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 5.15 mm | ||
長さ 35.9 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 22 V | ||
動作温度 (Max) 200 °C | ||
最大許容損失(Pd) 625 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
シリーズ STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 15.75 mm | ||
- COO(原産国):
- CN
関連ページ
- STMicroelectronics パワーMOSFET 900 V 12 mΩ 3ピン, パッケージ:HIP-247-3
- STMicroelectronics MOSFET 900 V 12 mΩ 7ピン, パッケージ:H2PAK-7
- STMicroelectronics MOSFET 30 A 41 nC パッケージ:Hip-247
- STMicroelectronics 650 V 20 mΩ 3ピン, パッケージ:Hip-247
- STMicroelectronics SiC電源モジュール 1200 V 0.52 Ω パッケージ:Hip-247
- STMicroelectronics MOSFET 1200 V 27 mΩ 3ピン, パッケージ:Hip-247
- STMicroelectronics MOSFET 1200 V 40 mΩ 3ピン, パッケージ:Hip-247
- STMicroelectronics MOSFET 900 V 4ピン
