STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 60 V, 397 A エンハンスメント型, 表面, 2-Pin パッケージH2PAK-2, STH345N6F7-2
- RS品番:
- 719-651
- メーカー型番:
- STH345N6F7-2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- STH345N6F7-2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 397A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | STH | |
| パッケージ型式 | H2PAK-2 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 341W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 230nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 4.7mm | |
| 幅 | 10.4mm | |
| 長さ | 9.3mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 397A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ STH | ||
パッケージ型式 H2PAK-2 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 2 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 341W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 230nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 4.7mm | ||
幅 10.4mm | ||
長さ 9.3mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、STripFET F7テクノロジーを採用し、強化されたトレンチゲート構造により、非常に低いオンステート抵抗を実現し、内部静電容量とゲート充電を低減し、より迅速かつ効率的なスイッチングを実現します。
市場で最も低いRDS(オン)の1つ
優れた FoM (メリットの数値)
低Crss/Ciss比でEMI耐性を実現
高いアバランシェ耐久性
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