STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル, 60 V, 397 A, 1.2 mΩ, 230 nC, 2ピン, パッケージ：H2PAK-2

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
RS品番:
719-651
メーカー型番:
STH345N6F7-2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

397A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

STH

パッケージ型式

H2PAK-2

取付タイプ

表面

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

341W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

230nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

9.3mm

高さ

4.7mm

幅

10.4mm

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、STripFET F7テクノロジーを採用し、強化されたトレンチゲート構造により、非常に低いオンステート抵抗を実現し、内部静電容量とゲート充電を低減し、より迅速かつ効率的なスイッチングを実現します。

市場で最も低いRDS(オン)の1つ

優れた FoM (メリットの数値)

低Crss/Ciss比でEMI耐性を実現

高いアバランシェ耐久性

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。