STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 60 V, 397 A エンハンスメント型, 表面実装, 2-Pin パッケージH2PAK-2, STH345N6F7-2

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RS品番:
719-651
メーカー型番:
STH345N6F7-2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

397A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

H2PAK-2

シリーズ

STH

取付タイプ

表面実装

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

341W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

230nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

高さ

4.7mm

長さ

9.3mm

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、STripFET F7テクノロジーを採用し、強化されたトレンチゲート構造により、非常に低いオンステート抵抗を実現し、内部静電容量とゲート充電を低減し、より迅速かつ効率的なスイッチングを実現します。

市場で最も低いRDS(オン)の1つ

優れた FoM (メリットの数値)

低Crss/Ciss比でEMI耐性を実現

高いアバランシェ耐久性

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