Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 60 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiRA10BDP-T1-GE3

N

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RS品番:
735-112
メーカー型番:
SiRA10BDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.005Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

43W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24.1nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

高さ

1.1mm

幅

5.3mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TW
Vishay NチャンネルMOSFETは、高性能パワーエレクトロニクスにおける効率的で信頼性の高い電力スイッチング用に設計されています。完全にRgおよびUISテスト済みで、電気的ストレスや過酷な動作条件下での堅牢性を確保します。低損失と高速スイッチングに最適化されており、RoHS準拠およびハロゲンフリー要件を満たしながら、コンパクトな高電力密度設計をサポートします。

100 % RgおよびUISテストを実現し、実証済みのデバイスの信頼性を実現

高電力密度DC/DCコンバータ用途に対応

効率的な同期整流性能を実現

RoHS規格およびハロゲンフリー要件に準拠

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