Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 70 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiRA84BDP-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥1,869.00

(税抜)

￥2,056.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 350 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥74.76￥1,869
150 - 1350￥65.44￥1,636
1375 - 1725￥56.04￥1,401
1750 - 2225￥46.72￥1,168
2250 +￥37.36￥934

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
188-5078
メーカー型番:
SiRA84BDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiRA84BDP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20.7nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

36W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

幅

5 mm

高さ

1.07mm

規格 / 承認

No

長さ

5.99mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

関連ページ