Vishay MOSFET, Pチャンネル 60 V, -8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SQ4917CEY-T1_BE3
- RS品番:
- 735-121
- メーカー型番:
- SQ4917CEY-T1_BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 735-121
- メーカー型番:
- SQ4917CEY-T1_BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | Pチャンネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SQ4917CEY | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.048Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 6.8W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 41nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6.2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ Pチャンネル | ||
最大連続ドレイン電流Id -8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SQ4917CEY | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.048Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 6.8W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6.2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- DE
VishayパワーMOSFETは、自動車用途で高性能を発揮し、最大60 Vの電圧と最大175 °Cの温度に対応する堅牢なデュアルPチャンネル構成を実現します。
TrenchFET技術により、低オン抵抗を実現
最大連続ドレイン電流:-8 A/脚
関連ページ
- 4 Vishay MOSFET 8 A 8-Pin エンハンスメント型, SQ4917CEY-T1_GE3 パッケージSO-8
- Vishay MOSFET 7 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQ4946CEY-T1_BE3
- Vishay シングルMOSFET 8 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQ4940CEY-T1_GE3
- Vishay MOSFET 12 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQ4850CEY-T1_GE3
- Vishay MOSFET 17.3 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQ4401CEY-T1_GE3
- Vishay MOSFET 20.7 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQ4840CEY-T1_GE3
- 2 Vishay MOSFET デュアル 7 A 8-Pin エンハンスメント型, SQ4946CEY-T1_GE3 パッケージSO-8
- Vishay MOSFET 5.4 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQ9945CEY-T1_GE3