Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 20 V, 4 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージ1206-8 ChipFET, SI5908BDC-T1-GE3

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RS品番:
735-215
メーカー型番:
SI5908BDC-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

1206-8 ChipFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.05Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

3.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

±8 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.5nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.1mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

幅

1.975 mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
DE

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