Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 20 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1206-8 ChipFET, SI5908BDC-T1-GE3

N
MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1個小計：*

￥140.00

(税抜)

￥154.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年6月14日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
1 - 24￥140
25 - 99￥105
100 - 499￥88
500 +￥70

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
735-215
メーカー型番:
SI5908BDC-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

1206-8 ChipFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.05Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

3.1W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8V

動作温度 Max

150°C

幅

1.975mm

高さ

1.1mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

長さ

3.1mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
DE

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。