Vishay MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル 20 V, 4 A, 表面, 8-Pin パッケージChipFET, SI5513CDC-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
256-7373
メーカー型番:
SI5513CDC-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

ChipFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Vishay Semiconductor mosfetアレイN及びPチャンネル20 V 4 A、3.7 A 3.1 W表面実装1206-8チップFETは、IEC61249-2-21の定義に準拠したハロゲンフリーです。

TrenchFETパワーモスフェット

100 % Rgテスト済み

RoHS指令2002/95/ECに準拠

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