Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 12 V, 85 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SISF12EDN-T1-GE3
- RS品番:
- 735-237
- メーカー型番:
- SISF12EDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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|---|---|
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- RS品番:
- 735-237
- メーカー型番:
- SISF12EDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 85A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 12V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8V | |
| 最大許容損失Pd | 69.4W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 45.5nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 85A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 12V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8V | ||
最大許容損失Pd 69.4W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45.5nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 3.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
長さ 3.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
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