2 Vishay パワーMOSFET コモンドレイン, タイプNチャンネル, 52 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPAK 1212

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥347,151.00

(税抜)

￥381,867.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥115.717￥347,151
6000 - 27000￥115.333￥345,999
30000 - 42000￥114.95￥344,850
45000 - 57000￥114.566￥343,698
60000 +￥114.183￥342,549

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
188-4891
メーカー型番:
SiSF20DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET Gen IV

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

18mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

69.4W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

コモンドレイン

規格 / 承認

No

幅

3.4 mm

長さ

3.4mm

高さ

0.75mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

コモンドレインデュアル N チャンネル 60 V （ S1-S2 ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

ソース間オン抵抗が非常に低い

熱特性が強化されたコンパクトなパッケージに、消費電力の大きい N チャンネル MOSFET を内蔵しています

関連ページ