Vishay MOSFET, Pチャンネル -20 V, -104 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SH, SISH521EDN-T1-GE3

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RS品番:
735-266
メーカー型番:
SISH521EDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

Pチャンネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-104A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-20V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8SH

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.006Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±12 V

最大許容損失Pd

52W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

102nC

動作温度 Max

150°C

高さ

0.98mm

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

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