STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 650 V, 60 A エンハンスメント型, 表面実装, 7-Pin パッケージHU3PAK, SCT018HU65G3AG
- RS品番:
- 719-466
- メーカー型番:
- SCT018HU65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 719-466
- メーカー型番:
- SCT018HU65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | Sct | |
| パッケージ型式 | HU3PAK | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 21.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| 順方向電圧 Vf | 2.6V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 388W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 19mm | |
| 高さ | 3.6mm | |
| 幅 | 14.1 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ Sct | ||
パッケージ型式 HU3PAK | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 21.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79.4nC | ||
順方向電圧 Vf 2.6V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 388W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 19mm | ||
高さ 3.6mm | ||
幅 14.1 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
全温度範囲にわたって非常に低いRDS(on)
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード
効率を高めるソース検知ピン