Infineon MOSFET, Nチャンネル, 750 V, 64 A, 31 mΩ, 169 nC, 7ピン, パッケージ：PG-TO263-7
- RS品番:
- 762-870
- メーカー型番:
- AIMBG75R050M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 762-870
- メーカー型番:
- AIMBG75R050M2HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 64A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 750V | |
| パッケージ型式 | PG-TO263-7 | |
| シリーズ | AIMBG75R | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 31mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 234W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 169nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 64A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 750V | ||
パッケージ型式 PG-TO263-7 | ||
シリーズ AIMBG75R | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 31mΩ | ||
最大許容損失Pd 234W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 169nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- MY
Infineon高性能SiC MOSFETは、効果的な電力変換と管理を容易にすることで、自動車用途の効率を向上させるように設計されています。
100 %アバランシェテストを実現した非常に堅牢な750 V技術を採用
ハードスイッチングと高スイッチング周波数で優れた効率を発揮
クラス最高の熱放散を実現し、信頼性の高い動作を実現
堅牢性を向上させるESDダイオードを内蔵
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