Infineon パワーMOSFET, Nチャンネル, 1400 V, 100 A, 19 mΩ, 90 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO247-4

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1個小計:*

¥3,897.00

(税抜)

¥4,286.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 240 2026年9月17日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1 - 9¥3,897
10 - 24¥3,507
25 +¥2,884

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
762-947
メーカー型番:
IMYR140R019M2HXLSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1400V

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

PG-TO247-4

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

19mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

385W

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

90nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

23.8mm

16mm

高さ

4.9mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY
Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFETは、1400 V定格、100 °Cで147 Aの電流容量、8.5 mΩの低オン抵抗を備えています。高い熱性能をサポートし、2 μsの短絡に耐えることができます。このデバイスは、堅牢な寄生ターンオン保護と高いクリープ距離を備えた設計になっています。

超低スイッチング損失

ハード整流用の堅牢なボディダイオード

高電流性能を実現する幅広い電源ピン

直接バスバー接続用の抵抗溶接可能ピン

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。