Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 100 V, 203 A, 0.0027 Ω, 32 nC, 8ピン, パッケージ：P
- RS品番:
- 829-344
- メーカー型番:
- SIRS5100EPW-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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個 | 単価 |
|---|---|
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| 10 - 24 | ￥400 |
| 25 - 99 | ￥236 |
| 100 - 499 | ￥231 |
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- RS品番:
- 829-344
- メーカー型番:
- SIRS5100EPW-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 203A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | P | |
| シリーズ | SIR | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0027Ω | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 205W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 203A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 P | ||
シリーズ SIR | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0027Ω | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 205W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
高さ 1.04mm | ||
長さ 6.15mm | ||
幅 5.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- DE
VishayパワーMOSFETは、効率的なスイッチングが要求される用途向けに高性能を発揮します。先進的な設計により、電力損失を大幅に削減し、全体的な熱管理を向上させます。
ドレイン・ソース間電圧定格は100 Vで、信頼性の高い動作を保証
低オン抵抗を実現し、導通中の電力損失を最小限に抑制
最大203 Aの連続ドレイン電流を実現し、高電力需要に最適
環境規制に適合する鉛フリーおよびハロゲンフリー構造を採用
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