Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 30 V, 3.4 A, 0.0192 Ω, 13 nC, 6ピン, パッケージ：P
- RS品番:
- 829-363
- メーカー型番:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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|---|---|
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- RS品番:
- 829-363
- メーカー型番:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | P | |
| シリーズ | SI | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0192Ω | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 最大許容損失Pd | 15.6W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 幅 | 2.05mm | |
| 長さ | 2.05mm | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 P | ||
シリーズ SI | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0192Ω | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
最大許容損失Pd 15.6W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
幅 2.05mm | ||
長さ 2.05mm | ||
高さ 0.75mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- DE
Vishayの高性能NチャンネルMOSFETは、さまざまな用途で効率的な電力管理を実現するために設計されています。堅牢な構造により、過酷な条件下でも信頼性の高い機能を実現します。
30 Vのドレインソース電圧により、汎用性の高い用途を実現
10 Vで0.0192Ωの最大オンステート抵抗により、電力効率を向上
1つのデバイスとして構成され、スペースと性能を最適化
TrenchFET技術により、優れたスイッチング機能を実現
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