Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 80 V, 3.4 A, 0.0192 Ω, 37.7 nC, 8ピン, パッケージ：P
- RS品番:
- 829-364
- メーカー型番:
- SIR580DP-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 9 | ￥410 |
| 10 - 24 | ￥266 |
| 25 - 99 | ￥158 |
| 100 - 499 | ￥153 |
| 500 + | ￥151 |
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- RS品番:
- 829-364
- メーカー型番:
- SIR580DP-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | SI | |
| パッケージ型式 | P | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0192Ω | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 37.7nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ SI | ||
パッケージ型式 P | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0192Ω | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 37.7nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.15mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
長さ 6.15mm | ||
高さ 1.04mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- DE
Vishayの高性能NチャンネルMOSFETは、効率的な電力管理のために設計されています。この高度なコンポーネントは、高レベルの電流処理と電圧調整を必要とする役割に優れています。
優れた効率を実現するTrenchFET Gen Vテクノロジー
低オン抵抗により電力損失を低減
UISテストを含む信頼性のための幅広いテスト
性能を向上させるため、低いR x Qメリットフィーファイルに最適化
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