STMicroelectronics MOSFET, N チャネルチャンネル 250 V, 56 A 強化モード, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB25N018M9

N
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RS品番:
839-144
メーカー型番:
STB25N018M9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

56A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

STB Series

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

18mΩ

チャンネルモード

強化モード

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

320W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

ROHS

長さ

10.3mm

10mm

高さ

4.5mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、高度なMDmesh M9技術に基づいたNチャンネルスーパージャンクションコンポーネントです。熱容量を損なうことなく、より小型でコンパクトなレイアウトを実現します。

D2PAK表面実装アセンブリパッケージスタイル

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