Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 80 V, 40 A, 0.0029 Ω, 105 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 851-501
- メーカー型番:
- SIDR178DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 851-501
- メーカー型番:
- SIDR178DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0029Ω | |
| チャンネルモード | N | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 105nC | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | 55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 Qualified | |
| 長さ | 6.05mm | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 幅 | 5.25mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0029Ω | ||
チャンネルモード N | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 105nC | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min 55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 Qualified | ||
長さ 6.05mm | ||
高さ 1.04mm | ||
幅 5.25mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- TW
Vishay高性能NチャンネルMOSFETは、効率的な電源スイッチング用途を実現するように設計されています。その機能により、さまざまな電圧および電流範囲で信頼性の高い動作を実現します。
TrenchFET技術により、低オン抵抗と高効率を実現
トップサイド冷却により熱伝導性能を向上
鉛フリーおよびハロゲンフリー構造により、環境コンプライアンスをサポート
100 % RおよびUISテストによる完全な信頼性テスト
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