型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 95 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiDR170DP-T1-RE3

RS品番:: 210-4955
メーカー型番:: SiDR170DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 95 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiDR170DP-T1-RE3

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RS品番:: 210-4955
メーカー型番:: SiDR170DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	95A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	SiDR170DP
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	125W
	順方向電圧 Vf	1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	93nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	長さ	5.9mm
	規格 / 承認	No
	高さ	0.51mm
	幅	4.9 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 95A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ SiDR170DP
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 125W
	順方向電圧 Vf 1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 93nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	長さ 5.9mm
	規格 / 承認 No
	高さ 0.51mm
	幅 4.9 mm
	自動車規格なし

Vishay N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8DC パッケージタイプです。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 95 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiDR170DP-T1-RE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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