Vishay MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 14 A, 0.021 Ω, 4.3 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 904-972
- メーカー型番:
- SI7120BDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 904-972
- メーカー型番:
- SI7120BDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.021Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 19.8W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | ROHS | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.021Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.3nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 19.8W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 ROHS | ||
幅 3.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、効率的な電力管理のために設計されており、高度な機能と堅牢な信頼性により、さまざまな電子用途で性能を向上させます。
TrenchFET Gen IVテクノロジーにより、効率を最適化し、電力損失を低減
RおよびUISに対して100%テスト済みで、一貫した信頼性を保証
鉛(Pb)フリー構造により、環境基準に準拠
最適化されたスイッチング特性により、高速用途をサポート
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