Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 104 A, 0.0036 Ω, 11.7 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 1212-8PT

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梱包形態
RS品番:
239-5398
メーカー型番:
SISA10BDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

104A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SISA10BDN

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8PT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0036Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

63W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

幅

3.3mm

高さ

0.75mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay SISA10BDNシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流104 A - SISA10BDN-T1-GE3


このNチャンネルMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリの高電流スイッチング用に設計された表面実装パワートランジスタです。広い温度範囲で動作し、効率的な伝導と高速ゲート応答が求められる過酷な熱環境に適しています。このデバイスは、密集した基板への組み立てに最適化された低プロファイルパッケージで提供されます。

特長:


• 超低オン抵抗(0.0036Ω)により、導通損失を低減
• 104Aの高連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングをサポート
• ドレインソース定格電圧 30V により、低電圧電源設計を実現
• 標準ゲート充電11.7nCにより、より高速なゲート駆動変化を実現
• 最大消費電力63Wにより、持続的な熱負荷処理が可能
• ゲートソース耐電圧20Vにより、多様なドライブ電圧に対応するヘッドルームを実現

用途


• 同期降圧レギュレータスイッチングステージに最適
• コンパクトインバータのモータドライバハーフブリッジに最適
• サーバー電源レールの高電流負荷スイッチと併用
• 高ドレインシステムのバッテリ管理に使用可能
• ソリッドステートリレーおよび自動車用電源モジュールに最適

信頼性の高い組み立てには、どのような取り付け方法が必要ですか?


PowerPAK 1212-8PT形式の表面実装コンポーネントで、熱接触および電気接触用に設計された基板フットプリントへのリフローはんだ付けを目的としています。

周囲温度は動作性能にどのように影響しますか?


このデバイスは、-55°C~150°Cまで動作するように設計されており、適切な熱管理により、ゼロ下と高温の両方の環境で動作します。

どのようなタイプの導通チャンネルを使用しますか?


Nタイプチャンネルを採用し、低電圧、高電流スイッチング用途に適しています。

このデバイスは環境制限に適合していますか?


RoHS要件に適合しているため、規格により制限された有害物質が含まれていないことを示しています。

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