Microchip MOSFETモジュール, Nチャンネル, 1.2 kV, 236 A, 8.5 mΩ, 726 nC, 33ピン, パッケージ:モジュール
- RS品番:
- 931-017
- メーカー型番:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
N
1個小計:*
¥23,173
(税抜)
¥25,490
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年5月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 + | ¥23,173 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 931-017
- メーカー型番:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFETモジュール | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 236A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| パッケージ型式 | モジュール | |
| シリーズ | MSCSMC | |
| 取付タイプ | 直接 | |
| ピン数 | 33 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.5mΩ | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 726nC | |
| 最大許容損失Pd | 604W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 21V | |
| 順方向電圧 Vf | 4.7V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 62.8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 56.7mm | |
| 高さ | 16.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFETモジュール | ||
最大連続ドレイン電流Id 236A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
パッケージ型式 モジュール | ||
シリーズ MSCSMC | ||
取付タイプ 直接 | ||
ピン数 33 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.5mΩ | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 726nC | ||
最大許容損失Pd 604W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 21V | ||
順方向電圧 Vf 4.7V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 62.8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 56.7mm | ||
高さ 16.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
Microchipの先進的なシリコンカーバイド電源モジュールは、特に堅牢な電力管理と熱性能を必要とする過酷な環境で、高効率用途において優れた性能を発揮します。
SiC技術により、スイッチング損失と伝導損失を低減
内蔵サーミスタにより、効果的な温度監視を実現
低熱抵抗により、効率的な放熱を実現
超軽量とプロファイルにより、設計の柔軟性を向上
