Microchip MOSFETモジュール, N チャネルチャンネル, ハーフブリッジ, 1200 V, 266 A, 6 mΩ, 726 nC
- RS品番:
- 931-018
- メーカー型番:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
N
1個小計：*
￥24,446
(税抜)
￥26,891
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年5月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 + | ￥24,446 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 931-018
- メーカー型番:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| プロダクトタイプ | MOSFETモジュール | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 266A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | Phase Leg SiC MOSFET | |
| 取付タイプ | 直接実装 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 順方向電圧 Vf | 4.7V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 726nC | |
| 最大許容損失Pd | 766W | |
| トランジスタ構成 | ハーフブリッジ | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
プロダクトタイプ MOSFETモジュール | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 266A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ Phase Leg SiC MOSFET | ||
取付タイプ 直接実装 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
順方向電圧 Vf 4.7V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 726nC | ||
最大許容損失Pd 766W | ||
トランジスタ構成 ハーフブリッジ | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Microchipの先進的なパワーモジュールは、高効率の位相レッグソリューションを提供し、信頼性と性能が重要な要求の厳しい用途向けに特別に設計されています。
シリコンカーバイド技術を採用し、エネルギー損失を低減
温度上の低いRドリフトにより、安定した動作を実現
内部サーミスタを内蔵し、正確な温度管理を実現
高周波環境で優れた性能を発揮