- RS品番:
- 110-7435
- メーカー型番:
- IPD220N06L3GBTMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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単価: 購入単位は50個
¥141.62
(税抜)
¥155.78
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
50 - 600 | ¥141.62 | ¥7,081.00 |
650 - 1200 | ¥137.38 | ¥6,869.00 |
1250 + | ¥133.26 | ¥6,663.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 110-7435
- メーカー型番:
- IPD220N06L3GBTMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
RoHSステータス: 対象外
詳細情報
Infineon OptiMOS ™ 3 パワー MOSFET 、 60 ~ 80V
OptiMOS ™製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。
SMPS 用の高速スイッチング MOSFET
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
Nチャンネル・ロジックレベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
鉛フリーめっき
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
Nチャンネル・ロジックレベル
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超低オン抵抗 R DS(on)
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MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 30 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
シリーズ | OptiMOS™ 3 |
パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 39.8 m Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 2.2V |
最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
最大パワー消費 | 36 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 6.22mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
長さ | 6.73mm |
動作温度 Max | +175 °C |
トランジスタ素材 | Si |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 2.41mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
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