Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 45 A, 8 mΩ, 27 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 178-7370
- メーカー型番:
- IPD053N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 178-7370
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- IPD053N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 45A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 27nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 45A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 27nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.41mm | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
インフィニオン OptiMOS 5シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧60V、最大連続ドレイン電流45A - IPD053N06NATMA1
このMOSFETは、表面‑実装型の電力アセンブリでの高‑電流スイッチングに適した、Nチャネル‑エンハンスメント型デバイスです。幅広い周囲温度範囲で動作し、低導通損失と高速スイッチングが求められる過酷な熱環境向けに設計されています。このデバイスは標準的なゲート駆動電圧に対応し、最新の電力変換およびモーター‑駆動トポロジに適した、制御性に優れた順方向導通特性を提供します。
特長：
• 8mΩ RDS(on)により、伝導損失を低減し、効率性を向上
• 45Aの連続ドレイン電流により、高‑電流設計に対応
• 27nCのゲート総電荷量により、高速なスイッチング遷移が可能
• 83Wの最大消費電力により、高‑出力動作を実現
• 20Vのゲート許容電圧により、一般的なゲート‑駆動方式に対応
• 45Aの連続ドレイン電流により、高‑電流設計に対応
• 27nCのゲート総電荷量により、高速なスイッチング遷移が可能
• 83Wの最大消費電力により、高‑出力動作を実現
• 20Vのゲート許容電圧により、一般的なゲート‑駆動方式に対応
用途
• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 三‑相モーターインバータのハーフ‑ブリッジに最適
• バッテリー管理システムの高‑電流経路に使用
• 通信機器のDC-DC電力変換に使用可能
• 産業用オートメーション機器の負荷スイッチングに最適
• 三‑相モーターインバータのハーフ‑ブリッジに最適
• バッテリー管理システムの高‑電流経路に使用
• 通信機器のDC-DC電力変換に使用可能
• 産業用オートメーション機器の負荷スイッチングに最適
スイッチング性能に影響するゲート‑駆動上の考慮事項には、どのようなものがありますか？
20V制限へのゲート駆動により、オン抵抗を低減し、スイッチング損失を増加
電圧とスルーレートのバランスを考慮したドライバを選択することで、効率と電磁特性を最適化できます。
連続動作時には、熱的条件をどのように管理すべきですか？
83Wの消散定格により、ヒートシンクおよびプリント基板の銅面積は、信頼性の高い長期動作を実現するために、デバイスの接点温度を-55°C～175°Cの動作範囲内に維持するように設定する必要があります。
このデバイスの基盤配置に影響する機械的制約には、どのようなものがありますか？
TO‑252表面‑実装パッケージでは、はんだ付け可能なパッケージベースから基板の放熱用プレーンへ効率的に熱を伝達できるよう、パッド形状とサーマルビアの設計に注意する必要があります。
順方向電圧は、導通時の計算にどのような影響を与えますか？
特に高‑電流条件では、導通期間における電圧降下と電力損失の計算に、標準順方向電圧1.2Vを考慮する必要があります。
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