Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 90 A, 6.6 mΩ, 75 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
218-3055
メーカー型番:
IPD90N10S4L06ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS-T2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

75nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

136W

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

幅

6.22mm

高さ

2.41mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧100 V、最大連続ドレイン電流90 A - IPD90N10S4L06ATMA1


このMOSFETは、自動車用途を含む過酷な環境での電力スイッチング向けに設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢な熱性能と電気性能が求められる表面実装基板アセンブリ向けです。

特長:


• 最大ドレイン・ソース間電圧100Vにより、高電圧スイッチング機能を実現
• 連続ドレイン電流90Aで高電流負荷に対応
• 6.6mΩの低Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 75nC により、制御されたスイッチングトランジションを実現
• 最大消費電力 136W により、負荷時の熱管理をサポート
• 最大ゲートソース電圧 16V で標準的なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 自動車用電子制御ユニットの電力段階に最適
• 高電流処理を必要とするDC-DCコンバータに最適
• 低伝導損失が求められるモーター駆動回路に使用
• バッテリ管理および配電システムに使用可能
• コンパクトパワーボードの表面実装アセンブリに最適

動作時に対応可能な温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~175°Cの広い周囲温度範囲で動作します。

プリント基板アセンブリには、どのようなパッケージと取り付けタイプがありますか?


このデバイスは、表面実装用のTO-252パッケージで提供されます。

回路にはどのくらいの電気接続がありますか?


ゲート接続、ドレイ接続、ソース接続用の3ピンを備えています。

どのようなチャンネルタイプとモードが導通動作を定義しますか?


エンハンスメントモードで動作するNタイプチャンネルを使用します。

物理的なフットプリントの寸法はどのくらいですか?


このパッケージの寸法は6.73x6.22x2.41 mmで、基板レイアウトを考慮します。

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