Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD90N10S4L06ATMA1

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梱包形態
RS品番:
218-3055
メーカー型番:
IPD90N10S4L06ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS-T2

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

75nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

136W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

幅

6.22 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS ™ -T2 シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。スイッチング損失と導電電力損失が低く、高い熱効率を実現しています。

Infineon OptiMOS ™ -T2 シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。スイッチング損失と導電電力損失が低く、高い熱効率を実現しています。

Nチャンネル - 強化モード

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

Nチャンネル - 強化モード

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

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