Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD90N10S4L06ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥2,424.00

(税抜)

￥2,666.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,730 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥242.40￥2,424
150 - 1190￥220.00￥2,200
1200 - 1590￥197.40￥1,974
1600 - 1990￥175.00￥1,750
2000 +￥152.50￥1,525

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
218-3055
メーカー型番:
IPD90N10S4L06ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS-T2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

75nC

最大許容損失Pd

136W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

幅

6.22 mm

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS ™ -T2 シリーズ N チャネルパワー MOSFET です。スイッチング損失と導電電力損失が低く、高い熱効率を実現しています。

Nチャンネル - 強化モード

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

関連ページ